Everspin希望其產(chǎn)品能夠找到用固態(tài)硬盤和閃存陣列替代DRAM作為非易失性緩沖區(qū)和寫入緩存的插座。這些卡將使用特殊的Windows和Linux驅(qū)動程序提供高達700萬次I / O操作/秒和2微秒的延遲Everspin將以開源形式發(fā)布。

 

至少有一家公司將為Everspin的卡片提供第二個來源。該公司表示，該芯片有一位試用客戶，希望能在一年內(nèi)投入生產(chǎn)。

 

英特爾成為第一個在主流存儲市場推出新內(nèi)存芯片的公司，其3DXP現(xiàn)在正在SSD中出貨。西部數(shù)據(jù)在2020年之前承諾了阻性RAM，而Everspin去年年底在Spin Transfer Technologies獲得了MRAM競爭對手，Spin Transfer Technologies表示將在明年推出Gbit級產(chǎn)品。

 

“未來，所有的記憶將會持續(xù) - 從現(xiàn)在開始或早些時候可能會有5-7年的時間，但是這是一個期望，一切都是現(xiàn)場和備份的，并且具有最高容量的最高性能的記憶將贏得，”帕特里克帕拉，Everspin營銷高級副總裁。

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