DRAM主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。
 
DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器（ram）一樣，由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設備。
 
JSC濟州半導體是全球最大的移動應用解決方案提供商之一的DRAM廠家。
 
JSC濟州半導體LPDRAM產品線主要包括LPDRAM (KGD)，LPDRAM (SDR/DDR1)，LPDRAM (DDR2)，LPDRAM (DDR4x),產品更新到16Gb的容量，LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR（部分陣列自刷新、自動 TCSR（溫度補償自刷新）根據芯片溫度改變刷新周期、根據使用情況改變驅動器強度的模式、DPD 深度掉電）模式等。
 
LPDRAM可為計算設備、手機以及汽車信息娛樂系統提供各種特性和功能。用更低的功耗、更少的時間和空間來設計應用。提供各種低功耗DRAM (LPDRAM)，這些器件具有低功耗、高性能、各種密度選項和寬溫度范圍，可充分利用各類設計。更多產品相關詳情及技術支持、解決方案咨詢JSC官方代理英尚微電子。


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LPDDR4X產品型號

Type	Part Number	Density	BUS	Voltage	Max Frequency	Package Type	Status
LPDDR4x2CHx32	JSL4BAG329ZAMF-05	16Gb	x32	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x2CHx32	JSL4BAG329ZAMF-05A	16Gb	x32	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x2CHx32	JSL4A8G329ZAMF-05	8Gb	x32	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x2CHx32	JSL04A8G329ZAMF-05A	8Gb	x32	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHx16	JSL4B8G168ZAMF-05	8Gb	x16	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHX16	JSL4B8G168ZAMF-05A	8Gb	x16	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHx16	JSL4A4G168ZAMF-05A	4Gb	x16	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHx16	JSL4A4G168ZAMF-05	4Gb	x16	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now

 
 
本文關鍵詞：LPDRAM,JSC,DRAM

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