MR2A16ACYS35是由256Kx16組織的MRAM系列的4Mb產品。Everspin的4Mb MRAM MR2A16ACYS35可以與富士通4Mb 鐵電RAM MB85R4M2T較慢的時序一起運行，但也允許系統設計人員利用MRAM快四倍的隨機訪問周期時間。Everspin 4Mb MRAM MR2A16ACYS35采用44引腳TSOP2和48球BGA封裝。everspin代理英尚微電子提供必要的技術支持等解決方案。
 
MR2A16ACYS35的優點
與富士通鐵電存儲器相比，升級到Everspin MRAM具有許多優勢：
•更快的隨機訪問操作時間
•高可靠性和數據保留
•無限讀/寫耐久性
•無需擔心磨損
•有競爭力的價格
•穩定的制造供應鏈
•小尺寸BGA封裝
 
封裝引腳
MR2A16ACYS35是一個4Mb非易失性MRAM，組織為256kx16，由標稱3.3V電源供電，并與FRAM兼容。兩款產品均使用標準SRAM并行地址（A0-16）、字節寬雙向數據引腳（DQ0-7）和控制信號（/E、/W、/G）。每個都可以由一個公共定時接口支持，并將用作隨機存取讀/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。
 

范圍	MB85R4M2TFN-G-JAE2	MR2A16ACYS35
封裝	44-Pin TSOP	44-Pin TSOP
尺寸和高度	10.16×18.41×1.2mm	10.16×18.41×1.2mm
引腳排列	參見下面的圖1
焊接曲線	根據 JEDEC J-STD-020D.1

     
Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MR2A16ACYS35 MRAM使用更簡單的1晶體管、1磁隧道結單元構建。簡單的Everspin MRAM單元可提高制造效率和可靠性。MRAM使用磁性隧道結技術進行非易失性存儲。數據不會在高溫下泄漏，并且沒有磨損機制來限制該技術中的讀取、寫入或電源循環次數。在125℃下，數據保留時間優于20年。


更多詳情點擊該鏈接：http://www.tyhg9.com/list-180-1.html


本文關鍵詞： MRAM 鐵電RAM   

相關文章：Everspin代理非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。