新興的記憶已經(jīng)存在了數(shù)十年。盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功，但它們也落后于離散存儲(chǔ)器的高性?xún)r(jià)比替代方案。盡管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。
 
磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）最早于1980年代開(kāi)發(fā)，并被推廣為通用存儲(chǔ)器。與其他存儲(chǔ)技術(shù)不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫(xiě)入電流，因此MRAM與SRAM類(lèi)似。但是這種依賴(lài)性也妨礙了它以更高的密度與DRAM和閃存競(jìng)爭(zhēng)的能力。
 
盡管諸如Everspin之類(lèi)的MRAM先驅(qū)已經(jīng)在離散應(yīng)用的嵌入式市場(chǎng)中取得了一些成功，甚至證明它可以處理汽車(chē)應(yīng)用的極端環(huán)境，但MRAM仍然是一個(gè)利基存儲(chǔ)器。
 
類(lèi)似電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）尚未成為可行的分立存儲(chǔ)器。甚至它在嵌入式市場(chǎng)上的成功也受到了限制。與傳統(tǒng)的嵌入式閃存技術(shù)相比，它的吸引力包括更低的功耗，更少的處理步驟和更低的電壓。它還具有太空和醫(yī)療應(yīng)用的輻射耐受性。
 
在過(guò)去的二十年中，數(shù)家公司一直在開(kāi)發(fā)ReRAM技術(shù)，但是該方法仍然面臨集成和可靠性方面的挑戰(zhàn)。像磁阻電阻一樣，ReRAM供應(yīng)商在開(kāi)發(fā)嵌入式ReRAM器件方面取得了一些進(jìn)展，以增加可用于分立開(kāi)發(fā)工作的收入。Weebit Nano與研究合作伙伴L(zhǎng)eti合作，以使分立的ReRAM在商業(yè)上可行。同時(shí)繼續(xù)探索該記憶在神經(jīng)形態(tài)和AI應(yīng)用中的潛力。
     
其ReRAM技術(shù)的吸引力在于，它利用了可用于現(xiàn)有生產(chǎn)線的材料。
 
一旦FRAM和MRAM及ReRAM通過(guò)資格審查，這將在嵌入式應(yīng)用程序中創(chuàng)造一個(gè)機(jī)會(huì)。MRAM和ReRAM仍然是新興的存儲(chǔ)器，與此同時(shí)其客戶(hù)正在意識(shí)到對(duì)快速，廉價(jià)內(nèi)存（如DRAM）的需求。這是一種廉價(jià)的內(nèi)存擴(kuò)展功能。它允許低成本和內(nèi)存密集型應(yīng)用程序。
 
 
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