下一代存儲技術引起關注
2018-01-30 15:52:52
號稱次世代記憶體的產品，在近年終于找到它們可以大展拳腳的市場，包含F(xiàn)RAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯(lián)網(wǎng)與智能應用的推動下，終于找到利基市場。
首先提及這個話題的，還是臺積電。
2017年5月，臺積電技術長孫元成第一次在其技術論壇上，發(fā)表了自行研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取記憶體）和eRRAM（嵌入式電阻式記憶體）技術，分別會在2018和2019年進行風險性試產，且將采用先進的22納米制程。
研發(fā)這項技術的目的很明確，就是要實現(xiàn)更高的效能、更低的電耗，以及更小的體積，用來滿足未來智能化與萬物聯(lián)網(wǎng)的全方面運算需求。目前三星和英特爾都在研發(fā)相關的產品與制程技術。
事實上，一個一般的嵌入式設計，其實不用嵌入式記憶體的技術，只需要常規(guī)的NOR和NAND Flash記憶體，搭配DRAM就可以了。如果是對于系統(tǒng)的體積與運作效能有更高的要求的，例如智能型手機和高階的消費性電子，也可以通過使用MCP技術，將為NOR和DRAM，或者NAND和DRAM封裝在一個芯片中來達成。
如果有較高的資料儲存需求，就能夠使用eMMC（embedded Multi Media Card）嵌入式記憶體規(guī)范技術，運用MCP制程將NAND Flash與控制芯片整合在一個BGA封裝里，再搭配DRAM來設計系統(tǒng)。
更先進的系統(tǒng)，則可使用eMCP（embedded Multi Chip Package）嵌入式多芯片封裝技術，把NAND Flash與DRAM，以及NAND Flash控制芯片封裝在一個芯片上，不僅進一步簡化電路設計，降低主系統(tǒng)負擔，同時也保留了高儲存容量的可能性。
圖1 : Crossbar是少數(shù)具有RRAM商業(yè)量產能力的業(yè)者，圖為其COMS整合技術，能整合邏輯芯片與記憶體。
但是，隨著網(wǎng)絡傳輸頻寬越來越大，智能應用衍生的資料運算與儲存需求也隨之越來越高，嵌入式系統(tǒng)對于記憶體封裝技術的需求也蒸蒸日上，并尋求效能更好的記憶體解決方案。這個時候，新一代的嵌入式記憶體技術與次世代非揮發(fā)性記憶體的結合就成了最佳解決方案。
本文關鍵詞：
MRAM DRAM
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