總部位于亞利桑那州錢德勒的Everspinn科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計(jì), 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商，自從Everspin第一款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，由于MRAM可以保持?jǐn)?shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗等特性，在應(yīng)用程序設(shè)計(jì)中起到了安全性至關(guān)重要的作用，現(xiàn)在在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)應(yīng)用超過 7000萬(wàn) MRAM 和 MRAM 產(chǎn)品, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強(qiáng)大、最迅速的基礎(chǔ)。

Everspin Technologies MR0A16AYS35為1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)。MR0A16AYS35擁有35ns的讀/寫周期（無(wú)寫入延遲），以及出色的耐讀/寫能力。數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。對(duì)于必須快速、永久地存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR0A16AYS35在較為寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。溫度范圍0至+70°C），用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素

?如下為1Mb并口MRAM型號(hào)表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

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