Everspin推出首款ST-MRAM芯片，推出商用自旋扭矩存儲器時代
2018-05-29 15:31:36
誰說科學突破永遠不算什么？ Everspin跟進了IBM，TDK和德國研究人員幾年前開發的研究成果，并在市場上推出了首款商用自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM）。該技術通過利用電子“旋轉”將數據存儲在磁性而非電子狀態中，從而提供不易磨損的非易失性存儲器。該公司表示，第一顆芯片的尺寸大約是閃存成本的50倍，但典型的NAND模塊可以執行大約800 IOPS，ST-MRAM的吞吐量可達400,000，因此非常適合SSD緩存和其他要求苛刻的應用。 Everspin已經開始以DDR3規格發布64Mb DIMMS的工作樣本，并表示未來的版本將擴展到千兆字節容量和更快的速度 –
Everspin為高性能存儲系統首次推出Spin-Torque MRAM
MRAM領先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準備設計和制造生態系統
亞利桑那州錢德勒市 - 2012年11月12日 -
Everspin Technologies在業界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），這是一種新型高性能和超低延遲內存，預計將改變存儲架構并有助于推動摩爾定律的不斷演變。
ST-MRAM是一款性能優化的存儲級存儲器（SCM），通過提供非易失性，高耐用性和超低延遲，將當今傳統存儲器的作用與未來存儲系統的需求結合起來。該64Mb器件是Everspin ST-MRAM產品中的第一款產品，計劃通過更快的速度擴展至千兆密度存儲器。
ST-MRAM。
Gartner研究副總裁Joseph Unsworth表示：ST-MRAM的特性對企業SSD市場特別有吸引力，因為它能夠增強和補充閃存技術。 “這項技術的商業化是一個重要的行業里程碑，應該繼續推動SSD在數據中心和內存計算架構中的普及。”
第一款將DRAM的速度和耐用性與閃存的非易失性，ST-MRAM相結合的半導體存儲器為高性能存儲系統的設計人員提供了實現超低延遲，提高可靠性，高循環耐用性和保護數據的能力的功率損失。潛在用途的一個例子是在云存儲領域 - 即使添加了更多的用戶和內容，更快和一致的數據存儲訪問也是必需的。
“IDC固態存儲和使能技術研究總監Jeff Janukowicz表示：”現有存儲器技術面臨著在性能，功耗和可靠性達到適當平衡時所面臨的嚴峻挑戰。 “第一個64Mb自旋扭矩MRAM的商業化是在更廣泛地使用更多種類的非易失性存儲器技術以提高存儲設備可靠性和提高性能方面的一個行業里程碑。”
Everspin專有的自旋扭矩技術使用自旋極化電流進行開關。數據存儲為磁性狀態與電子電荷，提供非易失性存儲器位，不會出現與Flash技術相關的磨損或數據保留問題。 EMD3D064M 64Mb STMRAM在功能上與DDR3接口的工業標準JEDEC規范兼容，每個I / O每秒傳輸高達1600萬次傳輸，轉換為以納秒級延遲高達3.2 GBytes /秒的內存帶寬。該產品采用符合DDR3標準的行業標準WBGA封裝。
ST-MRAM為系統設計人員提供持久，高耐久性存儲或內存的優勢，適用于要求更高可靠性且需要DDR3速度性能提升的應用。 64Mb密度的MRAM為固態和RAID存儲系統以及存儲設備中的非易失性緩沖區和高速緩存提供了理想的入口點。 64Mb器件將補充現有的低成本存儲器技術，減少了過度使用。
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