為滿足客戶對(duì)更大更快的SRAM 的普遍需求，偉凌創(chuàng)芯SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)64Mb。產(chǎn)品線包括提供256Kb~64Mb不同容量的器件，為傳統(tǒng)的并行SRAM產(chǎn)品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存儲(chǔ)器中包含可選的電池備份切換電路，以便在斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)。
 
    偉凌創(chuàng)芯EMI串行SRAM器件采用成本較低的8引腳封裝，并采用高速SPI/SQI通信總線，只需要4-6 個(gè)MCU I/O 引腳即可輕松集成。這減少了對(duì)更昂貴、高引腳數(shù)MCU的需求，有助于最大限度地減少整個(gè)電路板的尺寸。
　　
    對(duì)于需要比MCU板載RAM更多的RAM但又希望降低成本和減小電路板總尺寸的工程師來(lái)說(shuō)，串行SRAM是一種很受歡迎的解決方案。偉凌創(chuàng)芯EMI串行SRAM芯片旨在以簡(jiǎn)便且具有成本效益的替代方案取代并行SRAM。
 
    這些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有無(wú)限的耐用性和零寫(xiě)入時(shí)間，是涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、計(jì)量以及其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型功能的應(yīng)用的絕佳選擇。這些器件的容量從64 Kb到4 Mb不等，支持 SPI、SDI 和 SQI 總線模式。
 
    安徽偉凌創(chuàng)芯專注存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng)，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售的。為客戶提供的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。
         

本文關(guān)鍵詞：SRAM,偉凌創(chuàng)芯

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